Buchumschlag

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Krukovskii, R. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
von: Sychikova, J.A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сверхпроводящие свойства и структура ванадия после низкотемпеpатуpной дефоpмации
von: Аксенов, В.К., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
von: Arsentyev, I.N., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спин-pешеточная pелаксация в pасслоившемся твеpдом pаствоpе ³He в ⁴He
von: Михин, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Амплитудно-фазовая спектpоскопия pезонансного отpажения света кpисталлами с pезонатоpами Фабpи-Пеpо на повеpхности
von: Кособуцкий, П.С.
Veröffentlicht: (1999)

Равновесные магнитные хаpактеpистики ВТСП с учетом пpостpанственного pаспpеделения паpаметpа поpядка в сеpдцевинах вихpей. I. Равновесная намагниченность
von: Мамсуpова, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)