Buchumschlag

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»

The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Kulinich, О. А., Yatsunskiy, I. P., Eshtokina, T. Yu., Brusenskaya, G. I., Marchuk, I. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
von: Беспрозванных, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
von: Ganji, Jabbar
Veröffentlicht: (2017)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
von: Karpyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

ОСОБЛИВОСТІ СПІКАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ МЕТОДАМИ ДТА–ТГ АНАЛІЗУ КОМПОЗИТІВ ОТРИМАНИХ В СИСТЕМАХ cBN–MeSi2–(Al), де Me – V, Cr, Mo, W
von: Стратійчук, Д. А., et al.
Veröffentlicht: (2022)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
von: Druzhinin, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
von: Gerashchenko, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Физические основы проектирования зеркал оптических резонаторов полихромных лазеров
von: Bondarchuk, Jа. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
von: Gavrylyuk, O. O.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив вмісту металів на структурні характеристики неорганічних нанокомпозитів MxOy/SiO2 та C/MxOy/SiO2
von: Bogatyrev, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Будова гідратного шару поверхні композитних систем SiO2/ДНК(Dox) і SiO2/ДНК(Dox)/фуллерен С60
von: Turov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Tonkoshkur, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью
von: Gotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

LaNi9Si4: CRYSTAL STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
von: Belan, Bohdana, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Fundamental Physical Constants and their Stability, Transition to New Definitions of the SI Units
von: Melnikov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
von: Garbuz, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Механізм диспергування MoO3 на поверхні SiO2
von: Nasiedkin, D.B., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Аналіз структурно–хімічного стану дуплекс–систем силікати–силіциди лужно–земельних металів. Повідомлення 2. Дуплекс–система SiO2–MgO–CaO: Si–Mg–Ca
von: Бєлов, Б. Ф., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
von: Kukurudziak, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
von: Kozyrev, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Стан води на межі фаз композиту «SiO2 / скловидне тіло»
von: Turov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Osteopontin siRNA does not confer resistance to toxic effects of parthenolide in Jurkat cells
von: Mehri, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)

ELECTROCHEMICAL SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Tа2Si OBTAINED FROM CHLORIDE-FLUORIDE MELTS
von: Kuleshov, Serhii, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)