Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Gnilenko, A. B., Dzenzerskii, V. A., Plaksin, S. V., Pogorelaya, L. M. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.27 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015) -
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012) -
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
by: Гниленко, А.Б., et al.
Published: (2012) -
МОДЕЛИРОВАНИЕ И КОНТРОЛЬ ДЛИТЕЛЬНО ПРОТЕКАЮЩИХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ И ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ИНДУКЦИОННОЙ КАНАЛЬНОЙ ПЕЧИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МЕДНОЙ КАТАНКИ
by: Щерба , А.А., et al.
Published: (2017) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)