Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays.
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |