Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays.
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859471900032368640 |
|---|---|
| author | Perevertailo, V. L. |
| author_facet | Perevertailo, V. L. |
| author_sort | Perevertailo, V. L. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-09T20:27:48Z |
| description | A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:59Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-469 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-12T15:49:52Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4692026-03-09T20:27:48Z Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения Perevertailo, V. L. radiation testing low-energy X-rays MOS structure radiation hardness of IC радиационные испытания низкоэнергетическое рентгеновское излучение, МОП-структура радиационная стойкость ИС A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays. Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p–n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10–40 кэВ) рентгеновского излучения. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30/424 Copyright (c) 2012 Перевертайло В. Л. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | радиационные испытания низкоэнергетическое рентгеновское излучение, МОП-структура радиационная стойкость ИС Perevertailo, V. L. Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_alt | Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation |
| title_full | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_fullStr | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_full_unstemmed | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_short | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_sort | определение радиационной стойкости ис с помощью низкоэнергетического излучения |
| topic | радиационные испытания низкоэнергетическое рентгеновское излучение, МОП-структура радиационная стойкость ИС |
| topic_facet | radiation testing low-energy X-rays MOS structure radiation hardness of IC радиационные испытания низкоэнергетическое рентгеновское излучение, МОП-структура радиационная стойкость ИС |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30 |
| work_keys_str_mv | AT perevertailovl determinationofradiationresistanceofintegratedcircuitswiththeuseoflowenergyxradiation AT perevertailovl opredelenieradiacionnojstojkostiisspomoŝʹûnizkoénergetičeskogoizlučeniâ |