Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения

A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автор: Perevertailo, V. L.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:
радиационные испытания
низкоэнергетическое рентгеновское излучение,
МОП-структура
радиационная стойкость ИС
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-469
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4692025-09-24T16:59:10Z Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения Perevertailo, V. L. radiation testing low-energy X-rays MOS structure radiation hardness of IC радиационные испытания низкоэнергетическое рентгеновское излучение, МОП-структура радиационная стойкость ИС A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays. Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p–n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низ­ко­энер­ге­ти­чес­ко­го (10–40 кэВ) рентгеновского излучения. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30/424 Copyright (c) 2012 Перевертайло В. Л. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-09-24T16:59:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic радиационные испытания
низкоэнергетическое рентгеновское излучение,
МОП-структура
радиационная стойкость ИС
spellingShingle радиационные испытания
низкоэнергетическое рентгеновское излучение,
МОП-структура
радиационная стойкость ИС
Perevertailo, V. L.
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
topic_facet radiation testing
low-energy X-rays
MOS structure
radiation hardness of IC
радиационные испытания
низкоэнергетическое рентгеновское излучение,
МОП-структура
радиационная стойкость ИС
format Article
author Perevertailo, V. L.
author_facet Perevertailo, V. L.
author_sort Perevertailo, V. L.
title Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_short Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_full Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_fullStr Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_full_unstemmed Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_sort определение радиационной стойкости ис с помощью низкоэнергетического излучения
title_alt Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation
description A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p–n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10–40 keV) X-rays.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.1.30
work_keys_str_mv AT perevertailovl determinationofradiationresistanceofintegratedcircuitswiththeuseoflowenergyxradiation
AT perevertailovl opredelenieradiacionnojstojkostiisspomoŝʹûnizkoénergetičeskogoizlučeniâ
first_indexed 2025-09-24T17:30:59Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:59Z
_version_ 1850410260119945216

Схожі ресурси