Buchumschlag

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon&nbsp;p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Ключові слова:	keywords
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

60 лет базам данных
von: Резниченко, В.А.
Veröffentlicht: (2021-07-24)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
von: Trofimov, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
von: Щербак , Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
von: Щербак , Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ЗАВИСИМОСТЬ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ПОТЕРЬ В ТРЕХФАЗНЫХ СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ОТ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ И ПУЛЬСАЦИЙ МГНОВЕННОЙ АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ
von: Жемеров , Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ЗАВИСИМОСТЬ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ПОТЕРЬ В ТРЕХФАЗНЫХ СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ОТ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ И ПУЛЬСАЦИЙ МГНОВЕННОЙ АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ
von: Жемеров , Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
von: Rubtsevitch, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
von: Загирняк , М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
von: Загирняк , М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Тепловая эффективность теплоотдачи оребренных поверхностей при низкоскоростном обдуве
von: Pismenniy, Ye. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
von: Олещук, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
von: Олещук, В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Obukhov, I. A.
Veröffentlicht: (2007)

Экспрессное измерение мощности ультрафиолетового излучения в спектральных диапазонах УФ-А и УФ-В+С
von: Kolezhuk, K. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Gasanov, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В КОМПЛЕКТЕ «РАЗРЯДНАЯ ЛАМПА – ПРА»
von: Говоров , Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В КОМПЛЕКТЕ «РАЗРЯДНАЯ ЛАМПА – ПРА»
von: Говоров , Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
von: Konnikov, I. A.
Veröffentlicht: (2006)

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВЛЯЮЩИХ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТЯГИ
von: Костин, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВЛЯЮЩИХ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТЯГИ
von: Костин, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
von: Гасанов, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)