Cover Image

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon&nbsp;p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2011
Main Authors:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Subjects:	импульсная мощность температура перехода тепловое сопротивление толщина базы
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.43
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2012)

60 лет базам данных
by: Резниченко, В.А.
Published: (2021-07-24)

CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
by: Trofimov, V. E., et al.
Published: (2016)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
by: Turtsevich, A. S., et al.
Published: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
by: Щербак , Я.В., et al.
Published: (2014)

ЗАВИСИМОСТЬ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ПОТЕРЬ В ТРЕХФАЗНЫХ СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ОТ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ И ПУЛЬСАЦИЙ МГНОВЕННОЙ АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ
by: Жемеров , Г.Г., et al.
Published: (2015)

Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2013)

ОЦЕНКА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО КАНАЛА ПО ПОКАЗАТЕЛЯМ МГНОВЕННОЙ МОЩНОСТИ В ЗАДАЧАХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИКИ
by: Загирняк , М.В., et al.
Published: (2012)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
by: Рахматов, А.З.
Published: (2013)

МЕТОД СИНХРОННОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УПРАВЛЕНИЮ ЧЕТЫРЬМЯ ИНВЕРТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ, ПИТАЮЩИМИ АСИММЕТРИЧНЫЙ ШЕСТИФАЗНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЬ
by: Олещук, В., et al.
Published: (2011)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
by: Rudenko, A. I., et al.
Published: (2011)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
by: D. M. Jodgorova, et al.
Published: (2013)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В КОМПЛЕКТЕ «РАЗРЯДНАЯ ЛАМПА – ПРА»
by: Говоров , Ф.П., et al.
Published: (2012)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Obukhov, I. A.
Published: (2007)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
by: Городний , А.Н.
Published: (2012)

МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВЛЯЮЩИХ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТЯГИ
by: Костин, Н.А., et al.
Published: (2011)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
by: Konnikov, I. A.
Published: (2006)

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
by: O. A. Abdulkhaev, et al.
Published: (2011)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2003)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
by: Lavrich, Yu. N., et al.
Published: (2014)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
by: Гасанов, А.М., et al.
Published: (2004)

Полупроводниковый генератор импульсного действия с электронным переключением частот Ka-диапазона
by: Dvornichenko, V. P., et al.
Published: (2015)

Исследование режимов теплообмена в пульсационной тепловой трубе
by: Kravets, V. Yu., et al.
Published: (2010)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
by: Sh. B. Karimov, et al.
Published: (2015)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)

ІНТЕГРАЛЬНИЙ МЕТОД МОДЕЛЮВАННЯ ДИНАМІЧНИХ СИСТЕМ ЗІ ЗМІННИМИ ПАРАМЕТРАМИ
by: Протасов, Сергей Юрьевич
Published: (2010)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
by: A. V. Karimov, et al.
Published: (2014)

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА КОМПЕНСАЦИИ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В ЧЕТЫРЕХПРОВОДНОЙ ТРЕХФАЗНОЙ СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ ПОИСКОВОЙ ОПТИМИЗАЦИИ
by: Ягуп, В.Г., et al.
Published: (2016)

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
by: A. Z. Rakhmatov, et al.
Published: (2012)

ОЦЕНКА СРОКОВ СЛУЖБЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ, РАБОТАЮЩИХ В ПОВТОРНО-КРАТКОВРЕМЕННЫХ РЕЖИМАХ
by: Федоров, М.М., et al.
Published: (2012)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
by: Говоров, Ф.П., et al.
Published: (2016)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)