Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы

• Datum: 2011
• 1. Verfasser: Perevertailo, V. L.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Schlagworte: технология р -; n -стороны детектора; поликремниевые интегрированные резисторы; конденсатор с двухслойным диэлектриком; радиационная стойкость; коэффициент дозовой зависимости
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. T...