Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. T...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-494 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4942025-10-31T17:35:28Z Integrated double-sided silicon microstrip detectors Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы Perevertailo, V. L. technology of р -, n -side of the detector integrated polysilicon resistors capacitors with double layer dielectric radiation resistance coefficient of dose dependence технология р -, n -стороны детектора поликремниевые интегрированные резисторы конденсатор с двухслойным диэлектриком радиационная стойкость коэффициент дозовой зависимости The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. The parameters of fabricated detectors are comparable with those of similar foreign detectors, but they are distinguished by lesser cost. Рассмотрены вопросы проектирования, технологии и изготовления двухсторонних кремниевых микростриповых детекторов на стандартном оборудовании технологической линии в условиях серийного производства кремниевых интегральных схем. Представлена разработка прототипа детектора высокоэнергетических частиц для эксперимента ALICE (CERN). Изготовленные детекторы сравнимы по параметрам с аналогичными зарубежными детекторами, однако отличаются меньшей стоимостью. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-10-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 17-24 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 17-24 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17/447 Copyright (c) 2011 Perevertailo V. L. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-10-31T17:35:28Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
технология р - n -стороны детектора поликремниевые интегрированные резисторы конденсатор с двухслойным диэлектриком радиационная стойкость коэффициент дозовой зависимости |
| spellingShingle |
технология р - n -стороны детектора поликремниевые интегрированные резисторы конденсатор с двухслойным диэлектриком радиационная стойкость коэффициент дозовой зависимости Perevertailo, V. L. Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| topic_facet |
technology of р - n -side of the detector integrated polysilicon resistors capacitors with double layer dielectric radiation resistance coefficient of dose dependence технология р - n -стороны детектора поликремниевые интегрированные резисторы конденсатор с двухслойным диэлектриком радиационная стойкость коэффициент дозовой зависимости |
| format |
Article |
| author |
Perevertailo, V. L. |
| author_facet |
Perevertailo, V. L. |
| author_sort |
Perevertailo, V. L. |
| title |
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_short |
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_full |
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_fullStr |
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_full_unstemmed |
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_sort |
интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы |
| title_alt |
Integrated double-sided silicon microstrip detectors |
| description |
The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. The parameters of fabricated detectors are comparable with those of similar foreign detectors, but they are distinguished by lesser cost. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2011 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17 |
| work_keys_str_mv |
AT perevertailovl integrateddoublesidedsiliconmicrostripdetectors AT perevertailovl integralʹnyedvuhstoronniekremnievyemikrostripovyedetektory |
| first_indexed |
2025-10-16T01:41:35Z |
| last_indexed |
2025-11-01T02:31:36Z |
| _version_ |
1850410264057348096 |