Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
The problems of design, technology and manufacturing double-sided silicon microstrip detectors using standard equipment production line in mass production of silicon integrated circuits are considered. The design of prototype high-energy particles detector for experiment ALICE (CERN) is presented. T...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Perevertailo, V. L. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.17 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012) -
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Микростриповые детекторы на основе N-кремния ЗТМК
von: Кулибаба, В.И., et al.
Veröffentlicht: (1999) -
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В RL–ЦЕПЯХ, СОЕДИНЯЮЩИХ КОНДЕНСАТОРЫ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДО РАЗНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)