Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | Garkavenko, A. S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2011)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Kavetskyy, T. S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kavetskyy, T. S., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Конденсор тепловой трубы на основе лазерного рефрижератора
за авторством: Mekhantsev, E. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Mekhantsev, E. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Cорбция водорода жгутами одностенных углеродных нанотрубок, радиационно-модифицированных в различных газовых средах
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Долбин, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Фотовольтаический эффект в оптически активных кристаллах
за авторством: Каримов, Б.Х.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Каримов, Б.Х.
Опубліковано: (2006)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Поток излучения в слабопоглощающей оптически толстой атмосфере
за авторством: Яновицкий, Э.Г.
Опубліковано: (1995)
за авторством: Яновицкий, Э.Г.
Опубліковано: (1995)
Исследование эффекта раздвоения импульса лазерной генерации при накачке HCN-лазера переменным током
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Киселев, В.К., та інші
Опубліковано: (2009)
Тонкая структура когерентных двойниковых границ в металлах
за авторством: Мазилова, Т.И., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Мазилова, Т.И., та інші
Опубліковано: (2000)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
ТОГУ-ВА-ВОГУ КВАЗИ-СТОХАСТИЧНОГО ФІТОПЛАНКТОНУ В ГАЛИЛЕЙСЬКОМУ МОРI
за авторством: Каменiр, Ю.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Каменiр, Ю.
Опубліковано: (2023)
РОЗРАХУНОК ПЕРІОДИЧНОГО МАГНІТНОГО ПОЛЯ У ФЕРОМАГНІТНОМУ ЕЛЕКТРОПРОВІДНОМУ СЕРЕДОВИЩІ ТА ГАРМОНІК У СТРУМІ ЖИВЛЕННЯ МЕТОДОМ ГАРМОНІЧНОГО БАЛАНСУ СУМІСНО З МЕТОДОМ СКІНЧЕННИХ ЕЛЕМЕНТІВІ.
за авторством: Петухов, І.С.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Петухов, І.С.
Опубліковано: (2017)
Результаты исследований ослабления энергии электромагнитных волн оптически непрозрачными преградами
за авторством: Вязьмитинов, И.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Вязьмитинов, И.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Измерение толщин оптически прозрачных слоистых структур методом спектральной интерферометрии
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
за авторством: Ivanchykau, A. E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ivanchykau, A. E., та інші
Опубліковано: (2009)
СПЕКТРАЛЬНИЙ АНАЛІЗ СТРУМУ В ОДНОФАЗНОМУ НАПІВМОСТОВОМУ ІНВЕРТОРІ В ПРОСТОРІ ДВОХ ЗМІННИХ
за авторством: Коротеєв , І.Є.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Коротеєв , І.Є.
Опубліковано: (2015)
Тонкая кристаллическая структура WC-фазы регенерированных вольфрамокобальтовых твердых сплавов
за авторством: Бондаренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Бондаренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Дослідження взаємодії цинку(ІІ) з макромолекулярними компонентами склоподібного тіла методами УФ-спектроскопії та динамічного розсіювання світла
за авторством: Stepanyuk, K. O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Stepanyuk, K. O., та інші
Опубліковано: (2019)
Критерий эргодичности однородных дискретных марковских цепей
за авторством: Филонов, Ю.П.
Опубліковано: (1989)
за авторством: Филонов, Ю.П.
Опубліковано: (1989)
Об одном случае существования однородных решений
за авторством: Дороговцев, А.Я.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Дороговцев, А.Я.
Опубліковано: (2002)
Параметры оптически стимулированной люминесценции в нанопорошках на основе нитрида алюминия
за авторством: Вохминцев, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Вохминцев, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Якість технології мобільного зв'язку LTE 4G
за авторством: Утрерас, А. Ю., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Утрерас, А. Ю., та інші
Опубліковано: (2015)
ФАЗОВЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ПАРАМЕТРОВ ВИБРАЦИЙ С РАСШИРЕННЫМ ЧАСТОТНЫМ ДИАПАЗОНОМ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2012)
ДОСЛІДЖЕННЯ СПЕКТРУ ВХІДНОГО СТРУМУ ВИСОКОЧАСТОТНИХ КОРЕКТОРІВ КОЕФІЦІЄНТА ПОТУЖНОСТІ
за авторством: Рогаль, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Рогаль, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2011) -
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)