Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Garkavenko, A. S. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Kavetskyy, T. S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kavetskyy, T. S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
von: Сольский, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Сольский, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
von: Solskii, I. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Solskii, I. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Скоростные уравнения экситонного лазера
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Радиационно-стимулированная зернограничная диффузия в железе, его сплавах и коррозионно-стойких сталях
von: Новосёлов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Новосёлов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние нестабильности потока излучения ртутных ламп на калибровку приборов
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Cорбция водорода жгутами одностенных углеродных нанотрубок, радиационно-модифицированных в различных газовых средах
von: Долбин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Долбин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Моделирование энергетических спектров гамма-излучения перспективных радиационно-технологических источников на основе изотопов европия
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Дюльдя, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
Акустооптическое управление потоком данных оптических запоминающих устройств с побитовым представлением информации
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
Кремниевый интегральный гальваномагниторекомбинационный элемент
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Уменьшение переходной составляющей ошибки системы фазовой автоподстройки
von: Бурсова, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Бурсова, Т.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Способ защиты информации в каналах коммуникации
von: Скубилин, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Скубилин, М.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Основы технологии согласования волновых сопротивлений на границе раздела воздуха и ферромагнитной среды
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демьянчук, Б.А.
Veröffentlicht: (2004)
Малогабаритный стационарный пирометр с повышенным температурным разрешением
von: Ахиезер, А.М.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ахиезер, А.М.
Veröffentlicht: (2004)
Упрощенный метод измерений при исследовании суперконденсаторов
von: Стевич, З., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Стевич, З., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Аппроксимация характеристик макромоделей электронных устройств методом гладкой кривой
von: Николаенко, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Николаенко, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе аналогов негатронов
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Термозависимые макромодели для функционально-логического проектирования электронной аппаратуры
von: Николаенко, О.В.
Veröffentlicht: (1999)
von: Николаенко, О.В.
Veröffentlicht: (1999)
Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
Система линейной телемеханики "Хортица-М" для газопроводов
von: Дубец, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Дубец, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Измерители магнитных полей на автогенераторных принципах для магнитолевитирующего транспорта
von: Плаксин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Плаксин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Электрический импеданс электроакустического преобразователя
von: Данилов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Данилов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Ähnliche Einträge
-
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011) -
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)