Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

• Дата: 2011
• Автор: Garkavenko, A. S.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Теми: спектр излучения; лазер; электронная накачка; радиационная модификация; арсенид галлия
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.