Buchumschlag

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
1. Verfasser:	Garkavenko, A. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Kavetskyy, T. S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
von: Malkin, E. C., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

«Сатурн» остается на орбите
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2011)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

СПОСОБЫ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ АМПЛИТУДНЫХ СПЕКТРОВ ИМПУЛЬСОВ ЧАСТИЧНЫХ РАЗРЯДОВ В ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Беспрозванных, А.В.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электронная система регистрации параметров механических колебаний
von: Bulavin, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
von: Mokritskij, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Скоростные уравнения экситонного лазера
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)