Зображення обкладинки

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

The influence of excitation level and temperature on the radiation parameters of lasers based on n-type GaAs crystals with high optical homogeneity, modified with the use of radiotechnologies.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автор:	Garkavenko, A. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Теми:	спектр излучения лазер электронная накачка радиационная модификация арсенид галлия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Kavetskyy, T. S., та інші
Опубліковано: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
за авторством: Malkin, E. C., та інші
Опубліковано: (2010)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2011)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

СПОСОБЫ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ АМПЛИТУДНЫХ СПЕКТРОВ ИМПУЛЬСОВ ЧАСТИЧНЫХ РАЗРЯДОВ В ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ
за авторством: Беспрозванных, А.В.
Опубліковано: (2011)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Электронная система регистрации параметров механических колебаний
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2011)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Скоростные уравнения экситонного лазера
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)