Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

• Дата: 2011
• Автори: Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Теми: низкоразмерные структуры; антимонид индия; антимонид галлия; жидкофазная эпитаксия; спектр фотолюминесценции; излучательные переходы
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.35
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt are presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiatio...