Buchumschlag

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

Results of investigation of photoluminescence spectrums of the epitaxial structures containing InSb low-dimensional structures formed in GaSb matrix by a method of pulse cooling of saturated solution-melt are presented. It is shown, that observable photoluminescence bands are concerned with radiatio...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Andronova, E. V., Baganov, Ye. A., Kurak, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	низкоразмерные структуры антимонид индия антимонид галлия жидкофазная эпитаксия спектр фотолюминесценции излучательные переходы
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.35
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Gorokh, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

GaSb whiskers in sensor electronics
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
von: N. Liakh-Kaguy, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: G. V. Beketov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Laser – induced donor centers in p-InSb
von: Fedorenko, L., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
von: Linnik, L.F., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
von: Омельчук, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)