Buchumschlag

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technological processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values o...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Gorban, A. N., Kravchina, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Schlagworte:	комплементарные транзисторы диэлектрическая изоляция vтехнологические процессы радиационно стойкие ИС
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Баркероподобные системы последовательностей и их обработка
von: Holubnychyi, A. G.
Veröffentlicht: (2013)

Новые конструктивно-технологические решения светодиодных модулей для ламп-ретрофитов
von: Borshchov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Метод считывания и обработки стационарных интерференционных картин
von: Ilyin, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Методы и средства компьютерного проектирования в сети Интернет
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ПО ЖИЛЕ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2018)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Рассмотрены процессы получения микросварных соединений повышенной плотности в 3D интегральных схемах термозвуковой микросваркой, включающие использование повышенных частот ультразвука, применение микроинструмента с утонением рабочего торца и прецизион
von: Lanin, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Lesyuk, R. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

РАЗРАБОТКА МЕТОДА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТА МАТРИЦЫ ВЫСОКОГРАДИЕНТНОГО СЕПАРАТОРА НАНОЧАСТИЦ
von: Загирняк, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Novosyadly, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Starzhinskiy, N. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

ОЦЕНКА ВОЗМОЖНОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И РЕМОНТА ДЕТАЛЕЙ МЕТОДОМ АДДИТИВНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ИЗ АЛЮМИНИЕВЫХ СПЛАВОВ
von: Гнатенко*,**, М. О., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Verbitskiy, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Устройство сбора биометрической информации с использованием тензотранзисторных датчиков
von: Zhiltsov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вивчення трикомпонентної взаємодії етил-1H-2,1-бензотіазин-4(3H)-он 2,2-діоксиду з метиленактивними нітрилами та гетерилкарбальдегідами
von: Lega, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Druzhynin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

1,2-Бензоксатіїн-4(3Н)-он 2,2-діоксид – малодосліджений білдинг-блок із високим синтетичним та фармакологічним потенціалом: синтез, хімічні властивості, біологічна активність
von: Hryhoriv, Halyna V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Використання аліфатичних альдегідів у синтезі нових 1H-2,1-бензотіазин-4-он 2,2-діоксидів, конденсованих з пірановим ядром за допомогою доміно-взаємодій. Антимікробна активність синтезованих сполук
von: Lega, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Доміно-реакції 1,2-бензоксатин-4(3Н)-он 2,2-діоксиду, гетаренкарбальдегідів та активних метиленових нітрилів у побудові нових 2-аміно-4Н-піранів і вивчення їх антимікробних властивостей
von: Grygoriv, G. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Kabatsiy, V. М.
Veröffentlicht: (2009)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2023)