Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
Expressions for calculating the measurement errors of X-ray devices features are given as follows: mean photon energy, homogeneity coefficient, the first and the second half-value layer (1st HVL, 2nd HVL). Comparison of errors is organized at measurement and calculation of features of X-ray installa...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.44 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Расчет характеристик рентгеновского излучения
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Расчет характеристик рентгеновских установок
von: Orobinskyi, A. N.
Veröffentlicht: (2015)
von: Orobinskyi, A. N.
Veröffentlicht: (2015)
Система охлаждения испарительно-конденсационного типа для рентгеновских трубок
von: Gershuni, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gershuni, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПОДВИЖНОГО СОСТАВА МЕТРОПОЛИТЕНА
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
УМЕНЬШЕНИЕ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПОДВИЖНОГО СОСТАВА МЕТРОПОЛИТЕНА ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЭНЕРГОЕМКИХ НАКОПИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Жемеров, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2014)
УПРАВЛЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ НА СКОЛЬЗЯЩИХ РЕЖИМАХ В БАЗИСЕ ЭНЕРГИЙ
von: Скурятин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Скурятин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Экспериментальное исследование энергетических характеристик проницаемого термоэлемента
von: Cherkez, R. G., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Cherkez, R. G., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Методика диагностики электронных пучков среднего уровня мощности по переходному излучению
von: Vorobyov , G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vorobyov , G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)
Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива
von: Mokritskii, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Mokritskii, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)
МОДЕЛЮВАННЯ АДАПТИВНИХ ІНФОРМАЦІЙНИХ ПРОЦЕСІВ ЕЛЕКТРОННОГО НАВЧАННЯ ДЛЯ ДИСТАНЦІЙНОЇ ОСВІТИ
von: Ус, Михаил Федорович, et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ус, Михаил Федорович, et al.
Veröffentlicht: (2008)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
Индуктивный негасенсор
von: Voytscekhovskaya, Ye. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Voytscekhovskaya, Ye. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
КОМБИНИРОВАННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЦИКЛОКОНВЕРТОРОМ
von: Букина, Е.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Букина, Е.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)
УПРАВЛЯЕМОЕ ФИЛЬТРОКОМПЕНСИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОНОМНОЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С МОЩНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ
von: Жук, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Жук, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ОСОБЛИВОСТІ ВПЛИВУ ВИЩИХ ГАРМОНІК НА ВИБІР ПАРАМЕТРІВ СТРУМОПРОВОДУ ЦЕХОВИХ МЕРЕЖ
von: Коцур, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Коцур, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Датчик скорости газового потока
von: Godovaniouk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Godovaniouk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В RL–ЦЕПЯХ, СОЕДИНЯЮЩИХ КОНДЕНСАТОРЫ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДО РАЗНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Супруновская, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
von: Беспрозванных, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Беспрозванных, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2009)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2009)
Поиск оптимальных размеров печатных плат для несущих конструкций электронных средств
von: Yefimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Yefimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Расчет характеристик рентгеновского излучения
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Расчет характеристик рентгеновских установок
von: Orobinskyi, A. N.
Veröffentlicht: (2015) -
Система охлаждения испарительно-конденсационного типа для рентгеновских трубок
von: Gershuni, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012) -
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)