Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов

• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Dudin, S. V., Lisovskiy, V. А., Dahov, A. N., Pletniov, V. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Schlagworte: ВЧ емкостный разряд; пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов; пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage...