Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов

Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2011
Main Authors: Dudin, S. V., Lisovskiy, V. А., Dahov, A. N., Pletniov, V. M.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
Subjects:
ВЧ емкостный разряд
пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов
пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-538
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5382025-11-05T21:19:44Z RF reactor with asymmetrical electrodes for reactive ion etching of semiconductors Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов Dudin, S. V. Lisovskiy, V. А. Dahov, A. N. Pletniov, V. M. HF capacitive discharge plasma-chemical etching of semiconductor materials plasma-chemical reactor ВЧ емкостный разряд пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behaviour with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code. В процессе исследований измерены кривые зажигания и области существования разряда для раз­лич­ных рабочих газов (аргон, фреон, кислород). Найдены зависимости постоянного на­пря­же­ния на электроде, возникающего вследствие диодного эффекта в плазме, от ВЧ-на­пря­же­ния, подаваемого на электрод. Измерены радиальные профили плотности тока ионов на об­ра­ба­ты­ва­е­мую поверхность и их поведение при изменении параметров разряда для различных га­зов. Проведено сравнение полученных результатов с расчетами, выполненными с ис­поль­зо­ва­ни­ем двумерной математической модели OOPIC. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011-04-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2011): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 42-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 42-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42/488 Copyright (c) 2011 Dudin S. V., Lisovskiy V. A, Dahov A. N., Pletniov V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-05T21:19:44Z
collection OJS
language Ukrainian
topic ВЧ емкостный разряд
пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов
пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
spellingShingle ВЧ емкостный разряд
пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов
пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
Dudin, S. V.
Lisovskiy, V. А.
Dahov, A. N.
Pletniov, V. M.
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
topic_facet HF capacitive discharge
plasma-chemical etching of semiconductor materials
plasma-chemical reactor
ВЧ емкостный разряд
пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов
пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
format Article
author Dudin, S. V.
Lisovskiy, V. А.
Dahov, A. N.
Pletniov, V. M.
author_facet Dudin, S. V.
Lisovskiy, V. А.
Dahov, A. N.
Pletniov, V. M.
author_sort Dudin, S. V.
title Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_short Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_full Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_fullStr Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_full_unstemmed Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_sort режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов
title_alt RF reactor with asymmetrical electrodes for reactive ion etching of semiconductors
description Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behaviour with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2011
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42
work_keys_str_mv AT dudinsv rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors
AT lisovskiyva rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors
AT dahovan rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors
AT pletniovvm rfreactorwithasymmetricalelectrodesforreactiveionetchingofsemiconductors
AT dudinsv režimrabotydvuhkaskadnogotermoélektričeskogoohlaždaûŝegoustrojstvaobespečivaûŝijminimalʹnuûintensivnostʹotkazov
AT lisovskiyva režimrabotydvuhkaskadnogotermoélektričeskogoohlaždaûŝegoustrojstvaobespečivaûŝijminimalʹnuûintensivnostʹotkazov
AT dahovan režimrabotydvuhkaskadnogotermoélektričeskogoohlaždaûŝegoustrojstvaobespečivaûŝijminimalʹnuûintensivnostʹotkazov
AT pletniovvm režimrabotydvuhkaskadnogotermoélektričeskogoohlaždaûŝegoustrojstvaobespečivaûŝijminimalʹnuûintensivnostʹotkazov
first_indexed 2025-11-06T02:51:38Z
last_indexed 2025-11-06T02:51:38Z
_version_ 1850410272081051648

Similar Items