Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-548 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5482025-11-13T21:50:27Z Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on mosfet Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Perevertaylo, V. L. MOS dosimeter technology p-, n-MOS transistor threshold voltage thick oxide layer radiation sensitivity passive conditions dose dependence МОП-дозиметр технология р-, n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. Определены требования к конструкции и технологии изготовления р-канальных и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Разработана технология создания радиационно-чувствительных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида в р-канальном и в n-канальном варианте. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 22-29 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 22-29 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22/497 Copyright (c) 2010 Perevertaylo V. L. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-13T21:50:27Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость |
| spellingShingle |
МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость Perevertaylo, V. L. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| topic_facet |
MOS dosimeter technology p- n-MOS transistor threshold voltage thick oxide layer radiation sensitivity passive conditions dose dependence МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость |
| format |
Article |
| author |
Perevertaylo, V. L. |
| author_facet |
Perevertaylo, V. L. |
| author_sort |
Perevertaylo, V. L. |
| title |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_short |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_fullStr |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_sort |
датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе моп-транзисторов |
| title_alt |
Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on mosfet |
| description |
The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2010 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22 |
| work_keys_str_mv |
AT perevertaylovl sensorsofabsorbeddoseofionizingradiationbasedonmosfet AT perevertaylovl datčikiintegralʹnojpogloŝennojdozyioniziruûŝegoizlučeniânaosnovemoptranzistorov |
| first_indexed |
2025-11-14T03:18:12Z |
| last_indexed |
2025-11-14T03:18:12Z |
| _version_ |
1848822209533968384 |