Зображення обкладинки

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автор:	Perevertaylo, V. L.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:	МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
за авторством: Демина, Э.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)

ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
за авторством: Alekseik, O. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
за авторством: Yefymovych, A. P., та інші
Опубліковано: (2014)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
за авторством: Karapetyan, G. Ya., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

“Новизна” доз ионизирующего излучения как фактор микроэволюционных изменений
за авторством: Глазко, В.И.
Опубліковано: (2005)

Морфологические изменения щитовидной железы под действием ионизирующего излучения
за авторством: Кувенева, О.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Датчики ускорений и силы инерции и тяготения
за авторством: Golub, V. S.
Опубліковано: (2007)

Об интегральной модели поперечных динамических смещений толстого упругого слоя
за авторством: Стоян, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение самонесущих поликристаллических алмазных пленок для детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Березняк, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Методика количественной интегральной оценки структурного индекса собственного капитала банков
за авторством: Гапонов, А.И.
Опубліковано: (2013)

Влияние АТФ и ионизирующего излучения на структуру плазматических мембран
за авторством: Древаль, В.И.
Опубліковано: (1992)

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Kavetskyy, T. S., та інші
Опубліковано: (2008)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
за авторством: Kataev, V. F., та інші
Опубліковано: (2008)

РЕЗИСТИВНІ ДАТЧИКИ НА ОСНОВІ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ДЛЯ ВИЯВЛЕННЯ ВОЛОГОСТІ ПОВІТРЯ
за авторством: LAPSHUDA, V., та інші
Опубліковано: (2024)

Распределенные датчики для диагностики лучистых потоков в высокотемпературных установках
за авторством: Горностаев, Г.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Влияние ионизирующего излучения на структурную организацию хроматина печени крыс разного возраста
за авторством: Мозжухина, Т.Г., та інші
Опубліковано: (1996)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Способ оценки интегральной токсичности производственных отходов, основанный на применении водных ракообразных
за авторством: Дроздова, Е.В.
Опубліковано: (2010)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)