Зображення обкладинки

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автор:	Perevertaylo, V. L.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:	МОП-дозиметр технология р- n-МОП-транзистора пороговое напряжение толстый слой оксида радиационная чувствительность пассивный режим дозовая зависимость
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Изучение влияния величины поглощенной дозы радиации на вероятность развития злокачественных новообразований
за авторством: Демина, Э.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Радионуклиды европия как источники излучения для гамма-радиационных технологий: моделирование распределений поглощенной дозы в гомогенных средах
за авторством: Дюльдя, С. В., та інші
Опубліковано: (2004)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
за авторством: Shestakova, T. V.
Опубліковано: (2007)

ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
за авторством: Alekseik, O. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
за авторством: Brailovskii, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)

Правотворча функція Генеральної конференції МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2012)

ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
за авторством: Луценко, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
за авторством: Беляев , В.К., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Волоконно-оптические датчики концентрации метана
за авторством: Сидоренко, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Иванова, Е.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
за авторством: Yefymovych, A. P., та інші
Опубліковано: (2014)

Сучасні мікроелектронні датчики для інтелектуальних систем
за авторством: Лепіх, Я.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
за авторством: Karapetyan, G. Ya., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Формирование радиационной дозы облучения пресноводных рыб на эмбриональной стадии развития
за авторством: Волкова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2013)