Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
диффузия
мышьяк
ампула
ограничитель напряжения
твердая фаза
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.30
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-549
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5492025-11-13T21:50:27Z Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния Rakhmatov, A. Z. Skorniakov, S. L. Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Abdulkhayev, O. A. Buzrukov, U. M. diffusion arsenic ampoule voltage limiter solid phase диффузия мышьяк ампула ограничитель напряжения твердая фаза It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffusion conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2·105 Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base. Показано, что при диффузионном легировании мышьяком Si-пластин в вакуумированной квар­це­вой ампуле наиболее эффективно использовать составной источник в виде кристаллического мы­шья­ка и порошка кремния марки КДБ с концентрацией базовой примеси (бора) не менее чем в ле­ги­ру­е­мых Si-пластинах. Полученные результаты представляют интерес при разработке и про­из­вод­стве низковольтных (менее 7 В) ограничителей напряжения на основе кремния. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.30 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-35 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.30/498 Copyright (c) 2010 Rakhmatov A. Z., Skorniakov S. L., Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhayev O. A., Buzrukov U. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-13T21:50:27Z
collection OJS
language Ukrainian
topic диффузия
мышьяк
ампула
ограничитель напряжения
твердая фаза
spellingShingle диффузия
мышьяк
ампула
ограничитель напряжения
твердая фаза
Rakhmatov, A. Z.
Skorniakov, S. L.
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhayev, O. A.
Buzrukov, U. M.
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
topic_facet diffusion
arsenic
ampoule
voltage limiter
solid phase
диффузия
мышьяк
ампула
ограничитель напряжения
твердая фаза
format Article
author Rakhmatov, A. Z.
Skorniakov, S. L.
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhayev, O. A.
Buzrukov, U. M.
author_facet Rakhmatov, A. Z.
Skorniakov, S. L.
Karimov, A. V.
Yodgorova, D. M.
Abdulkhayev, O. A.
Buzrukov, U. M.
author_sort Rakhmatov, A. Z.
title Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_short Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_full Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_fullStr Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_full_unstemmed Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_sort физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
title_alt Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base
description It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffusion conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2·105 Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.30
work_keys_str_mv AT rakhmatovaz physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT skorniakovsl physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT karimovav physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT yodgorovadm physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT abdulkhayevoa physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT buzrukovum physicotechnologicalaspectsoflowvoltagesuppressorsdevelopementonthesiliconbase
AT rakhmatovaz fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
AT skorniakovsl fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
AT karimovav fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
AT yodgorovadm fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
AT abdulkhayevoa fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
AT buzrukovum fizikotehnologičeskieaspektysozdaniânizkovolʹtnyhograničitelejnaprâženiânaosnovekremniâ
first_indexed 2025-11-14T03:18:12Z
last_indexed 2025-11-14T03:18:12Z
_version_ 1850410273939128320

Схожі ресурси