Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
СПОСОБЫ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ АМПЛИТУДНЫХ СПЕКТРОВ ИМПУЛЬСОВ ЧАСТИЧНЫХ РАЗРЯДОВ В ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Беспрозванных, А.В.
Veröffentlicht: (2011)
von: Беспрозванных, А.В.
Veröffentlicht: (2011)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Пассивные ограничители иммитанса
von: Filinyuk, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Filinyuk, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Технологические принципы создания скоростных процессов литья в вакуумируемые формы для роторно-конвейерных комплексов
von: Дорошенко, В. С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Дорошенко, В. С., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A2VB3VI
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ЛИТЬЯ ЮВЕЛИРНЫХ ИЗДЕЛИЙ
von: Батышев, К. А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Батышев, К. А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Тенденции развития средств создания и анализа безмасляного вакуума
von: Vasiliev, Yu. K., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vasiliev, Yu. K., et al.
Veröffentlicht: (2010)
АСПЕКТЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСПЛАВА ПРИ ЕГО ОХЛАЖДЕНИИ
von: Цуркин, В. Н., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Цуркин, В. Н., et al.
Veröffentlicht: (2018)
ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ НИЗКОВОЛЬТНЫХ ЛОКАЛЬНЫХ СЕТЕЙ В НЕПОЛНОФАЗНЫХ И АВАРИЙНЫХ РЕЖИМАХ
von: Жаркин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Жаркин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)
АКТУАЛЬНЫЕ АСПЕКТЫ ВЫПЛАВКИ ИСХОДНОЙ ЗАГОТОВКИ АМОРФНЫХ СПЛАВОВ
von: Головачев, А. Н., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Головачев, А. Н., et al.
Veröffentlicht: (2018)
РЕЗОНАНСНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С ДОЗИРОВАННОЙ ПЕРЕДАЧЕЙ ЭНЕРГИИ ДЛЯ НИЗКОВОЛЬТНЫХ СЕТЕЙ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ПИТАНИЯ
von: Павлов, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Павлов, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
ОСНОВНЫЕ АСПЕКТЫ ПРОЦЕССА БИОКОНВЕКЦИИ В НАНОЖИДКОСТЯХ И ПОРИСТЫХ СРЕДАХ
von: Dmitrenko, N. P.
Veröffentlicht: (2017)
von: Dmitrenko, N. P.
Veröffentlicht: (2017)
ОСОБЕННОСТИ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЯ И КАЧЕСТВО ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ В НИЗКОВОЛЬТНЫХ СЕТЯХ ПРОМЫШЛЕННЫХ И КОММУНАЛЬНЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ
von: Загирняк, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Загирняк, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Новые конструктивно-технологические решения светодиодных модулей для ламп-ретрофитов
von: Borshchov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Borshchov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
von: Brailovskii, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Brailovskii, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ НЕНАСЛЕДСТВЕННОЙ ИЗМЕНЧИВОСТИ, ИНДУЦИРОВАННОЙ НА СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ КУЛЬТУРАХ С ПОМОЩЬЮ АНТИОКСИДАНТА ПАРА-АМИНОБЕНЗОЙНОЙ КИСЛОТЫ
von: Эйгес, Н. С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Эйгес, Н. С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Ivanchykou, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ivanchykou, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Химическая связь сурьмы. Технологические аспекты
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
СПОСОБЫ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ АМПЛИТУДНЫХ СПЕКТРОВ ИМПУЛЬСОВ ЧАСТИЧНЫХ РАЗРЯДОВ В ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ
von: Беспрозванных, А.В.
Veröffentlicht: (2011) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)