Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs

• Datum: 2010
• Hauptverfasser: Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
• Schlagworte: арсенид галлия; эпитаксиальная структура; барьер Шоттки; вольт-фарадная характеристика; глубокие центры
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point...