Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-570 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-5702025-11-15T21:32:13Z Deep trap diagnostics at the film — substrate interface in GaAs thin-film epitaxial structures Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. gallium arsenide epitaxial structure Schottky barriers capacity-voltage characteristic deep centers арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer. Предложен простой метод определения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка — подложка». Метод основан на определении увеличения ширины проводящего канала под действием примесного освещения по сдвигу точки перегиба вольт-фарадной характеристики. Достоверность метода подтверждена измерениями концентрации незаполненных глубоких центров в арсенид-галлиевых пластинах с буферным слоем и без него. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-08-24 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 53-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 53-56 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53/517 Copyright (c) 2010 Gorev N. B., Kodzhespirova I. F., Privalov E. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-11-15T21:32:13Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры |
| spellingShingle |
арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| topic_facet |
gallium arsenide epitaxial structure Schottky barriers capacity-voltage characteristic deep centers арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры |
| format |
Article |
| author |
Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_facet |
Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_sort |
Gorev, N. B. |
| title |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_short |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_fullStr |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full_unstemmed |
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_sort |
диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах gaas |
| title_alt |
Deep trap diagnostics at the film — substrate interface in GaAs thin-film epitaxial structures |
| description |
A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2010 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53 |
| work_keys_str_mv |
AT gorevnb deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures AT kodzhespirovaif deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures AT privaloven deeptrapdiagnosticsatthefilmsubstrateinterfaceingaasthinfilmepitaxialstructures AT gorevnb diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT kodzhespirovaif diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT privaloven diagnostikaglubokihcentrovnagraniceplenkapodložkavtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas |
| first_indexed |
2025-11-16T02:38:38Z |
| last_indexed |
2025-11-16T02:38:38Z |
| _version_ |
1850410277467586560 |