Buchumschlag

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	арсенид галлия эпитаксиальная структура барьер Шоттки вольт-фарадная характеристика глубокие центры
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

"Аль-Джамаа аль-исламия": от экстремизма к парламентаризму?
von: Мартынкин, А.В.
Veröffentlicht: (1999)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Коваленко, К.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Boiko, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Радиографическая пленка фирмы KODAK типа INDUSTREX СХ
von: Белый, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
von: Штапенко, Э.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Druzhynin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Перспективы развития тонкопленочных микросборок
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Лугин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Эпи-ориньяк с сагайдакско-мураловскими микролитами на юге Восточной Европы и его европейские перспективы
von: Демиденко, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2017)

«Сатурн» остается на орбите
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Мухаммад ибн Абд аль-Ваххаб и его убеждения
von: Маевская, Л.Б.
Veröffentlicht: (2001)

Методологические проблемы при исследовании тонкопленочных упрочняющих покрытий
von: Трапезон, А.Г.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование и исследование переходного слоя тонкопленочных структур
von: Лебедева, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Особенности убеждений идеолога ваххабизма ХХ в. - Н. Аль-Албани
von: Маевская, Л.Б.
Veröffentlicht: (2012)

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)