Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
"Аль-Джамаа аль-исламия": от экстремизма к парламентаризму?
за авторством: Мартынкин, А.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Мартынкин, А.В.
Опубліковано: (1999)
"Аль-Джамаа аль-исламия": от экстремизма к парламентаризму?
за авторством: Мартынкин, А.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мартынкин, А.В.
Опубліковано: (2001)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Радиографическая пленка фирмы KODAK типа INDUSTREX СХ
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации
за авторством: Штапенко, Э.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Штапенко, Э.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лугин, А.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Оценка производственных погрешностей тонкопленочных элементов
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2004)
С.И. Кучуку-Яценко — 80
Опубліковано: (2010)
Опубліковано: (2010)
Эпи-ориньяк с сагайдакско-мураловскими микролитами на юге Восточной Европы и его европейские перспективы
за авторством: Демиденко, Ю.Э., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Демиденко, Ю.Э., та інші
Опубліковано: (2017)
О влиянии предварительной ионной бомбабрдировки на структуру переходной зоны покрытия - подложка
за авторством: Вирич, В.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Вирич, В.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Мухаммад ибн Абд аль-Ваххаб и его убеждения
за авторством: Маевская, Л.Б.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Маевская, Л.Б.
Опубліковано: (2001)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
Методологические проблемы при исследовании тонкопленочных упрочняющих покрытий
за авторством: Трапезон, А.Г.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Трапезон, А.Г.
Опубліковано: (2007)
Моделирование и исследование переходного слоя тонкопленочных структур
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Лебедева, Т.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007) -
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010) -
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)