Cover Image

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe

The compound GaSe<KNO3> is obtained by the technique of intercalation of a GaSe single crystal in a melt of the ferroelectric salt KNO3. The x-ray analysis of its crystal structure has been carried out and dielectric frequency characteristics of samples has been measured. It is establi...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2010
Main Authors:	Kovalyuk, Z. D., Konoplyanko, D. Yu., Netyaga, V. V., Bakhtinov, A. P.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Subjects:	интеркаляция полупроводник А3В6 сегнетоэлектрик конденсатор
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.06
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2010)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
by: Kaminskii, V.I., et al.
Published: (2007)

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В RL–ЦЕПЯХ, СОЕДИНЯЮЩИХ КОНДЕНСАТОРЫ, ЗАРЯЖЕННЫЕ ДО РАЗНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
by: Супруновская, Н.И., et al.
Published: (2015)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2009)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
by: Afanasyev, M. S., et al.
Published: (2010)

Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д.
by: Netyaga, V. V., et al.
Published: (2018)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2004)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Published: (2012)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2003)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2022)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledzyuk, et al.
Published: (2013)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
by: Khalavk, Y.B., et al.
Published: (2009)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
by: Zhirko, Yu.I., et al.
Published: (2004)

Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
by: Балицький, О.О., et al.
Published: (2009)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
by: V. B. Boledziuk, et al.
Published: (2013)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
by: Boledzyuk, V. B., et al.
Published: (2018)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
by: Z. D. Kovaliuk, et al.
Published: (2014)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
by: Pashayev, A.M., et al.
Published: (2001)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)

Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
by: A. P. Bakhtinov, et al.
Published: (2013)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
by: Lyashkov, A. Yu.
Published: (2018)

Physical properties of composite nanostructures formed on the basis of p-GaSe layered semi-conductor and KNO3 ferroelectric nanosized three-dimensional inclusions
by: A. P. Bakhtinov, et al.
Published: (2012)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2007)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
by: Kovalyuk, Z.D., et al.
Published: (2004)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
by: Pashayev, A. M., et al.
Published: (2011)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
by: Tagiyev, B.G., et al.
Published: (2002)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
by: Balitskaya, V. A., et al.
Published: (2004)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
by: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Published: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
by: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Published: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Кудринский, З.Р., et al.
Published: (2012)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
by: Moroz, Mykola, et al.
Published: (2022)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
by: Z. R. Kudrynskyi
Published: (2013)

ОЦЕНКА РЕСУРСА ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ИСПЫТАНИЙ НА ПЕРЕМЕННОМ НАПРЯЖЕНИИ
by: Бутко, С.М., et al.
Published: (2012)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
by: Kushnir, B.V., et al.
Published: (2017)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
by: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Published: (2015)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
by: Боледзюк, В.Б., et al.
Published: (2016)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
by: Zhirko, Yu.I., et al.
Published: (2003)

Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe
by: Stakhira, J.M., et al.
Published: (2022)