Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:
эпитаксиальный слой
жидкофазная эпитаксия
редкоземельный элемент
изовалентный элемент
ле­ги­ро­вание
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-582
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-5822025-11-23T19:59:39Z Obtaining of high-quality InP active layers in geterostructure’s composition for Gunn diodes Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна Vakiv, M. M. Krukovskiy, S. I. Zayachuk, D. M. Mykhashchuk, Iu. S. Krukovskiy, R. S. epitaxial layer liquid-phase epitaxy rare-earth element isovalent element alloying эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент изовалентный элемент ле­ги­ро­вание It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices. Показано, что комплексное легирование расплавов индия редкоземельным (Yb) и изо­ва­лен­т­ным (Al) элементами способствует значительному повышению эффективности очистки от фо­но­вых примесей эпитаксиальных слоев InP, полученных жидкофазной эпитаксией, что при­во­дит к рос­ту их структурного совершенства. При оптимальном количестве Yb и Al в расплаве кон­цен­тра­ция электронов в слоях InP уменьшается, а их подвижность возрастает. Разработанная технология мо­жет быть использована для изготовления структур для диодов Ганна, фотоприемников и других оп­то­элек­трон­ных приборов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-06-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 50-53 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 50-53 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50/528 Copyright (c) 2010 Vakiv M. M., Krukovskiy S. I., Zayachuk D. M., Mykhashchuk Iu. S., Krukovskiy R. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-23T19:59:39Z
collection OJS
language Ukrainian
topic эпитаксиальный слой
жидкофазная эпитаксия
редкоземельный элемент
изовалентный элемент
ле­ги­ро­вание
spellingShingle эпитаксиальный слой
жидкофазная эпитаксия
редкоземельный элемент
изовалентный элемент
ле­ги­ро­вание
Vakiv, M. M.
Krukovskiy, S. I.
Zayachuk, D. M.
Mykhashchuk, Iu. S.
Krukovskiy, R. S.
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
topic_facet epitaxial layer
liquid-phase epitaxy
rare-earth element
isovalent element
alloying
эпитаксиальный слой
жидкофазная эпитаксия
редкоземельный элемент
изовалентный элемент
ле­ги­ро­вание
format Article
author Vakiv, M. M.
Krukovskiy, S. I.
Zayachuk, D. M.
Mykhashchuk, Iu. S.
Krukovskiy, R. S.
author_facet Vakiv, M. M.
Krukovskiy, S. I.
Zayachuk, D. M.
Mykhashchuk, Iu. S.
Krukovskiy, R. S.
author_sort Vakiv, M. M.
title Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
title_short Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
title_full Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
title_fullStr Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
title_full_unstemmed Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
title_sort получение активных слоев inp в составе гетероструктур для диодов ганна
title_alt Obtaining of high-quality InP active layers in geterostructure’s composition for Gunn diodes
description It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
work_keys_str_mv AT vakivmm obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes
AT krukovskiysi obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes
AT zayachukdm obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes
AT mykhashchukius obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes
AT krukovskiyrs obtainingofhighqualityinpactivelayersingeterostructurescompositionforgunndiodes
AT vakivmm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna
AT krukovskiysi polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna
AT zayachukdm polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna
AT mykhashchukius polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna
AT krukovskiyrs polučenieaktivnyhsloevinpvsostavegeterostrukturdlâdiodovganna
first_indexed 2025-12-02T15:19:18Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:18Z
_version_ 1850410279232339968

Схожі ресурси