Buchumschlag

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент изовалентный элемент легирование
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2010)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ИССЛЕДОВАНИЕ RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2011)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

УНИВЕРСАЛЬНЫЕ МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ m-ПУЛЬСНЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ СО СМЕШАННОЙ RLC-НАГРУЗКОЙ В ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
von: Волков , И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)

«ПАРАДОКС ЗЕНКЕВИЧА» НА ТРИКУТНОМУ КІНЦЕВОМУ ЕЛЕМЕНТІ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)

Стабильность свойств пьезокерамических материалов при внешних воздействиях
von: Kuzenko, D. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Магний-воздушный первичный источник тока
von: Korolenko, S. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ МНОГОКАНАЛЬНЫХ ИНВЕРТОРОВ С УЛУЧШЕННЫМ СПЕКТРАЛЬНЫМ СОСТАВОМ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
von: Волков, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ганна Барвінок
von: Ковалів, Ю.
Veröffentlicht: (2018)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)