Buchumschlag

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:	эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент изовалентный элемент легирование
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Гальваномагнитные микродатчики положения на базе германиевого микропровода
von: Aleinikov, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2010)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ИССЛЕДОВАНИЕ RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА
von: Шидловская, Н.А.
Veröffentlicht: (2011)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
von: Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht: (2026)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovskiy, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
von: Кайдаш, М.В.
Veröffentlicht: (2013)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

УНИВЕРСАЛЬНЫЕ МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ m-ПУЛЬСНЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ СО СМЕШАННОЙ RLC-НАГРУЗКОЙ В ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
von: Волков , И.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Двухспектральный фотоприемник
von: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование возможности создания газоанализатора с транзисторным чувствительным элементом
von: Murshudli, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ультразвуковой пьезокерамический преобразователь
von: Pashaev, N. M.
Veröffentlicht: (2006)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Svetlichnaya, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

«ПАРАДОКС ЗЕНКЕВИЧА» НА ТРИКУТНОМУ КІНЦЕВОМУ ЕЛЕМЕНТІ
von: Хомченко, Анатолий Никифорович, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)

Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)