Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar la...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |