Зображення обкладинки

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n+–n–n0–p type bipolar transistors and planar la...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Теми:	хлорид-гидридная эпитаксия биполярный транзистор полевой транзистор с барьером Шоттки соединения III-V прямоточный горизонтальный реактор
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.31
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Reva, V. Р., та інші
Опубліковано: (2007)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 2: Практична реалізація
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)

Специализированные сети на основе твердотельных датчиков
за авторством: Kostenko, V. L., та інші
Опубліковано: (2008)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)

Рассмотрены процессы получения микросварных соединений повышенной плотности в 3D интегральных схемах термозвуковой микросваркой, включающие использование повышенных частот ультразвука, применение микроинструмента с утонением рабочего торца и прецизион
за авторством: Lanin, V. L., та інші
Опубліковано: (2014)

СИНХРОННИЙ ВИПРЯМЛЯЧ В ІМПУЛЬСНОМУ СТАБІЛІЗАТОРІ ПОСТІЙНОЇ НАПРУГИ НА ОСНОВІ ВИСОКОЧАСТОТНИХ МАГНІТНИХ ПІДСИЛЮВАЧІВ
за авторством: Яськів, В.І., та інші
Опубліковано: (2025)

Ензимний метод кількісного визначення бензалконій хлориду в антисептичному розчині «КУТАСЕПТ® Ф»
за авторством: Koval’ska, Olena V., та інші
Опубліковано: (2022)

Застосування ензимного методу для кількісного визначення декваліній хлориду у пігулках для розсмоктування
за авторством: Blazheyevskіy, Mykola Ye., та інші
Опубліковано: (2022)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
за авторством: Бойко, Н.И.
Опубліковано: (2014)

О природе биполярных вариаций атмосферного электрического поля
за авторством: Шулейкин, В.Н.
Опубліковано: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)

Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Свойства коммутационных ячеек, используемых в системах автоматизированного контроля
за авторством: Medvedik, A. D.
Опубліковано: (2009)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)

«Надстройки» и «развитие» периодической системы
за авторством: Трифонов, Д.Н.
Опубліковано: (1984)

Некоторые количественные соотношения в периодической системе Д. И. Менделеева
за авторством: Делимарский, Ю.К., та інші
Опубліковано: (1984)

Потенциалы ионизации и периодичность в периодической системе химических элементов Д. И. Менделеева
за авторством: Тресвятский, С.Г.
Опубліковано: (1984)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации
за авторством: Белоус, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)

Метод расчета параметров низкоскоростной части биполярных потоков в массивных областях звездообразования
за авторством: Антюфеев, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)