Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
A new physical method of Cd1–xZnxTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2005)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
за авторством: Литовченко, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Литовченко, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
за авторством: Lysyuk, I. O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lysyuk, I. O., та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
ПОТЕРИ ОТ УРАВНИТЕЛЬНЫХ ТОКОВ В МНОГОЖИЛЬНЫХ ОБМОТКАХ БЕСПАЗОВЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН
за авторством: Антонов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Антонов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2011)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)