Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
The most researched materials for uncooled semiconductor detectors of ionizing radiation are CdTe:Cl and Cd0.9Zn0.1Te, which allow to obtain detectors with high values of resistivity ρ and electron mobility. In the process of producing detector materials, the background impurities and defects can be...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | Kondrik, Alexandr, Kovtun, Gennadiy |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2022.1-3.31 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019) -
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
by: Kondrik , Оleksandr
Published: (2024) -
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2020) -
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023) -
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)