Buchumschlag

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe

The most researched materials for uncooled semiconductor detectors of ionizing radiation are CdTe:Cl and Cd0.9Zn0.1Te, which allow to obtain detectors with high values of resistivity ρ and electron mobility. In the process of producing detector materials, the background impurities and defects can be...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Kondrik, Alexandr, Kovtun, Gennadiy
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2022
Schlagworte:	телурид кадмію CdZnTe детекторні властивості моделювання глибокі рівні
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2022.1-3.31
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2015)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2021)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
von: Dovbnya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору
von: Semikina, T. V.
Veröffentlicht: (2018)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
von: Кутний, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
von: Грибанов, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals
von: Gerasimenko, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Спектральні характеристики пасивованих квантових точок CdTe з координатно-залежними параметрами
von: Kupchak, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

CdZnTe sensors for X-ray measurements
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)

Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2004)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: I. H. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2019)