Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2–14 MeV and different doses 5·1016–1·1018 el/cm2. The...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Druzhinin, A. A., Maryamova, I. I., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguj, N. S., Masluk, V. T., Mehela, I. G.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Schlagworte:
кремний
тензорезистор
электронное облучение
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-608
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6082025-11-26T22:15:42Z Study of silicon strain gauges under electron irradiation Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы Druzhinin, A. A. Maryamova, I. I. Kutrakov, A. P. Liakh-Kaguj, N. S. Masluk, V. T. Mehela, I. G. silicon tensor resistor electron irradiation кремний тензорезистор электронное облучение The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2–14 MeV and different doses 5·1016–1·1018 el/cm2. The main parameters of irradiated strain gauges: resistance, its temperature dependence and resistance change vs strain at –196…+100°C and –269…+20°C temperature ranges were measured. There are determined the values of electron irradiation energy and dose at which the radiation stability of strain gauges could be ensured. Изучено влияние облучения электронами высоких энергий на характеристики по­лу­про­вод­ни­ко­вых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором. Об­лу­че­ние тензорезисторов проводилось при комнатной температуре электронами с энер­ги­ей 4,2—14 МэВ дозами 5·1016—1·1018эл/см2. Измерения основных параметров облученных тен­зо­ре­зис­то­ров — сопротивления, его температурной зависимости и зависимости из­ме­нения сопротивления от деформации — проводились в различных температурных диа­па­зо­нах: –196…+100°C и –269…+20°C. Определены значения энергии и дозы электронов, при которых обеспечивается радиационная стойкость тензорезисторов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010-02-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2010): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 26-29 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 26-29 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26/551 Copyright (c) 2010 Druzhinin A. A., Maryamova I. I., Kutrakov A. P., Liakh-Kaguj N. S., Masluk V. T., Mehela I. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-26T22:15:42Z
collection OJS
language Ukrainian
topic кремний
тензорезистор
электронное облучение
spellingShingle кремний
тензорезистор
электронное облучение
Druzhinin, A. A.
Maryamova, I. I.
Kutrakov, A. P.
Liakh-Kaguj, N. S.
Masluk, V. T.
Mehela, I. G.
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
topic_facet silicon
tensor resistor
electron irradiation
кремний
тензорезистор
электронное облучение
format Article
author Druzhinin, A. A.
Maryamova, I. I.
Kutrakov, A. P.
Liakh-Kaguj, N. S.
Masluk, V. T.
Mehela, I. G.
author_facet Druzhinin, A. A.
Maryamova, I. I.
Kutrakov, A. P.
Liakh-Kaguj, N. S.
Masluk, V. T.
Mehela, I. G.
author_sort Druzhinin, A. A.
title Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_short Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_full Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_fullStr Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_full_unstemmed Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_sort исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
title_alt Study of silicon strain gauges under electron irradiation
description The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2–14 MeV and different doses 5·1016–1·1018 el/cm2. The main parameters of irradiated strain gauges: resistance, its temperature dependence and resistance change vs strain at –196…+100°C and –269…+20°C temperature ranges were measured. There are determined the values of electron irradiation energy and dose at which the radiation stability of strain gauges could be ensured.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2010
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26
work_keys_str_mv AT druzhininaa studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT maryamovaii studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT kutrakovap studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT liakhkagujns studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT maslukvt studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT mehelaig studyofsiliconstraingaugesunderelectronirradiation
AT druzhininaa issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
AT maryamovaii issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
AT kutrakovap issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
AT liakhkagujns issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
AT maslukvt issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
AT mehelaig issledovanievliâniâélektronnogooblučeniânakremnievyetenzorezistory
first_indexed 2025-12-02T15:19:21Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:21Z
_version_ 1850410283102633984

Ähnliche Einträge