Buchumschlag

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclus...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:	эффект усиления тока фототранзистор база барьер режим модуляции
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
von: Rodionov, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Доцільність проведення досудового слідства прокуратурою
von: Куруц, В.М.
Veröffentlicht: (2012)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Многофункциональная аппаратура передачи и приема данных З-501
von: Куценко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
von: Гончарук, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ПРИМЕНЕНИЕ КОМПЕНСАЦИОННОГО МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ФАЗОВОГО СДВИГА В ЛАЗЕРНЫХ ДАЛЬНОМЕРАХ
von: Брагинец, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Классификация пленочных систем для промышленной радиографии (новые национальные стандарты)
von: Белый, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)

МЕТОД ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЙ ПО УПРАВЛЕНИЮ СЕТЬЮ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ
von: Жуйков, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Подготовка и аттестация специалистов и разработка нормативной базы в направлении деятельности «Техническая диагностика сварных конструкций»
von: Грузд, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)

Партійна позаідеологічність в Україні як відображення лобістської політичної культури та політичної активності
von: Постол, О.Є.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Відновлення працездатності радіоелектронних пристроїв шляхом реінжинірингу
von: Lavrych, Yurii, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Мєдвєдєв Р.А.: Як я працюю
Veröffentlicht: (1989)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

СУЧАСНИЙ СТАН ПЛЮСОВИХ ДЕРЕВ МОДРИНИ В СУМСЬКІЙ ОБЛАСТІ
von: Grygoryeva, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Отсутствие у природных сахаромицетов Ту элементов и 2 мкм ДНК
von: Булат, С.А.
Veröffentlicht: (1988)

Оптимізація системи зaхиcту інформації корпоративної мережі
von: Корнієнко, Богдан Ярославович, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Інформаційні засоби для прогнозування розвитку енергетичних технологій
von: Shraiber O.A.
Veröffentlicht: (2011)