Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
The brief information about created phototransistor nGaAs–рGaAs–Ag-structure are given. The processes of photogeneration of carriers in the base and in the space-charge layers of semiconductor junction as well as of metal — semiconductor junction are analysed depending on the mode of inclus...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Доцільність проведення досудового слідства прокуратурою
за авторством: Куруц, В.М.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Куруц, В.М.
Опубліковано: (2012)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
Многофункциональная аппаратура передачи и приема данных З-501
за авторством: Куценко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Куценко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гончарук, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
ПРИМЕНЕНИЕ КОМПЕНСАЦИОННОГО МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ФАЗОВОГО СДВИГА В ЛАЗЕРНЫХ ДАЛЬНОМЕРАХ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Классификация пленочных систем для промышленной радиографии (новые национальные стандарты)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Белый, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
МЕТОД ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЙ ПО УПРАВЛЕНИЮ СЕТЬЮ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2014)
Подготовка и аттестация специалистов и разработка нормативной базы в направлении деятельности «Техническая диагностика сварных конструкций»
за авторством: Грузд, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Грузд, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Партійна позаідеологічність в Україні як відображення лобістської політичної культури та політичної активності
за авторством: Постол, О.Є.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Постол, О.Є.
Опубліковано: (2011)
Відновлення працездатності радіоелектронних пристроїв шляхом реінжинірингу
за авторством: Lavrych, Yurii, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Lavrych, Yurii, та інші
Опубліковано: (2023)
До питання становлення інституту міжнародної космічної безпеки
за авторством: Стельмах, О.С.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стельмах, О.С.
Опубліковано: (2011)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Мєдвєдєв Р.А.: Як я працюю
Опубліковано: (1989)
Опубліковано: (1989)
Поетика легенди Лесі Українки “Ра-Менеїс”
за авторством: Кудряшова, О.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Кудряшова, О.
Опубліковано: (2010)
СУЧАСНИЙ СТАН ПЛЮСОВИХ ДЕРЕВ МОДРИНИ В СУМСЬКІЙ ОБЛАСТІ
за авторством: Grygoryeva, V. G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Grygoryeva, V. G., та інші
Опубліковано: (2017)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Чувствительность Stylonychia mytilus к флотореагенту РА-14
за авторством: Присный, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Присный, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)