Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption p...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Бигруппы Ли - Каца
von: Палюткин, В.Г.
Veröffentlicht: (2000) -
Имеет ли история смысл?
von: Потапенко, А.В.
Veröffentlicht: (2006) -
Стоит ли “дурить публику”?
von: Степаненко, В.
Veröffentlicht: (2001) -
О феноменологических моделях и прогнозе сейсмичности: оправдан ли пессимизм, обоснованы ли надежды
von: Шуман, В.Н.
Veröffentlicht: (2013)