Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
The investigation of deposition kinetics of in-situ phosphorus doped polysilicon films has been performed. The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped polysilicon deposition has been developed. The values of heterogeneous reaction constants and constants, which describe the desorption p...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012) -
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009) -
Бигруппы Ли - Каца
за авторством: Палюткин, В.Г.
Опубліковано: (2000) -
Возродится ли социализм?
за авторством: Золотов, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2008) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)