Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristic...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |