Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Druzhinin, А. A., Holota, V. I., Kogut, I. T., Khoverko, Ju. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Schlagworte: КНИ-структуры; КНИ МОП-транзисторы; тестовая структура; топология; автоэмиссионные микрокатоды; схема управления
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.20
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure, are shown. The application area of compact EKV models of the MOS-transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristic...