Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Bobrenko, Yu. N., Yaroshenko, N. V., Sheremetova, G. I., Semikina, T. V., Atdaev, B. S.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Subjects:
поверхностно-барьерные структуры
ультрафиолетовое излучение
фотоприемник
фоточувствительность
тонкие пленки
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Internet

https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29

Similar Items