Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
Hauptverfasser: Bobrenko, Yu. N., Yaroshenko, N. V., Sheremetova, G. I., Semikina, T. V., Atdaev, B. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:
поверхностно-барьерные структуры
ультрафиолетовое излучение
фотоприемник
фоточувствительность
тонкие пленки
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-637
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-6372025-11-30T21:26:53Z Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS Bobrenko, Yu. N. Yaroshenko, N. V. Sheremetova, G. I. Semikina, T. V. Atdaev, B. S. surface-barrier structure ultraviolet radiation photodetector photosensitivity thin film поверхностно-барьерные структуры ультрафиолетовое излучение фотоприемник фоточувствительность тонкие пленки High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region. По­лу­че­ны вы­со­ко­эф­фек­тив­ные фо­то­ди­о­ды на ос­но­ве ге­те­ро­пе­ре­хо­да р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo с ва­рьи­ру­е­мой тол­щи­ной внут­рен­не­го пе­ре­ход­но­го слоя. По­ка­за­но, что эф­фек­тив­ным ме­то­дом сни­же­ния чув­стви­тель­но­сти за гра­ни­цей УФ-об­лас­ти яв­ля­ет­ся пре­де­ль­ное уме­нь­ше­ние тол­щи­ны ва­ри­зон­но­го слоя. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2009): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29/578 Copyright (c) 2009 Bobrenko Yu. N., Yaroshenko N. V., Sheremetova G. I., Semikina T. V., Atdaev B. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-11-30T21:26:53Z
collection OJS
language Ukrainian
topic поверхностно-барьерные структуры
ультрафиолетовое излучение
фотоприемник
фоточувствительность
тонкие пленки
spellingShingle поверхностно-барьерные структуры
ультрафиолетовое излучение
фотоприемник
фоточувствительность
тонкие пленки
Bobrenko, Yu. N.
Yaroshenko, N. V.
Sheremetova, G. I.
Semikina, T. V.
Atdaev, B. S.
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
topic_facet surface-barrier structure
ultraviolet radiation
photodetector
photosensitivity
thin film
поверхностно-барьерные структуры
ультрафиолетовое излучение
фотоприемник
фоточувствительность
тонкие пленки
format Article
author Bobrenko, Yu. N.
Yaroshenko, N. V.
Sheremetova, G. I.
Semikina, T. V.
Atdaev, B. S.
author_facet Bobrenko, Yu. N.
Yaroshenko, N. V.
Sheremetova, G. I.
Semikina, T. V.
Atdaev, B. S.
author_sort Bobrenko, Yu. N.
title Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_short Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_full Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_fullStr Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_full_unstemmed Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
title_sort фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок zns
title_alt Ultraviolet photosensors based on ZnS thin films
description High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2009
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29
work_keys_str_mv AT bobrenkoyun ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT yaroshenkonv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT sheremetovagi ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT semikinatv ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT atdaevbs ultravioletphotosensorsbasedonznsthinfilms
AT bobrenkoyun fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT yaroshenkonv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT sheremetovagi fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT semikinatv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
AT atdaevbs fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns
first_indexed 2025-12-02T15:19:26Z
last_indexed 2025-12-02T15:19:26Z
_version_ 1850410288262676480

Ähnliche Einträge