Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Bobrenko, Yu. N., Yaroshenko, N. V., Sheremetova, G. I., Semikina, T. V., Atdaev, B. S.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси