Зображення обкладинки

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Теми:	p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
за авторством: Rubcevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2009)

Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
за авторством: Zhavzharov, E. L., та інші
Опубліковано: (2015)

ФОРМИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА НА БАЗЕ ОРТОГОНАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАНИЙ
за авторством: Терещенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние комплексных воздействий на формирование структуры и тиксотропных свойств литых высокопрочных алюминиевых сплавов В95 и Д16
за авторством: Пригунова, А. Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние внутренних параметров стабилизированных СВЧ-генераторов на формирование автодинного отклика при сильном отраженном сигнале
за авторством: Noskov, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Borisenko, A. G.
Опубліковано: (2013)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Maximenko, L. S., та інші
Опубліковано: (2013)

Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем
за авторством: Hladkovskyi, V. V., та інші
Опубліковано: (2017)

Моделювання конкурентної рівноваги на енергоринку з урахуванням втрат електроенергії в електричних мережах
за авторством: Saukh S.Ye., та інші
Опубліковано: (2016)

МЕТОД ДОМЕННИХ МОДЕЛЕЙ СТВОРЕННЯ І ВИКОРИСТАННЯ КАДРІВ У РОЗВИТКУ СИСТЕМ МОНІТОРИНГУ
за авторством: Sopel, Myhail Fedorovich, та інші
Опубліковано: (2013)

Кристалогеометричні особливості будови литої та нормалізованої сталі з ферито-перлітною структурою
за авторством: Borisenko, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив розчинів хлористоводневої кислоти на розмір кристалітів гідроксіапатиту в порошках та їхню композитах з гіалуроновою кислотою
за авторством: Golovan, A. P., та інші
Опубліковано: (2018)