Buchumschlag

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
Schlagworte:	p–i–n-диод карбид кремния 4НSiC травление ионно-плазменное травление кремния мезаструктура чип диода
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследования и разработка технологических систем на базе ВЧ индукционного разряда для реактивного ионно-плазменного травления микро- и наноструктур
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
von: Semenov, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Высокочастотные разряды низкого давления в технологии малоэнергоемкого вакуумно-плазменного травления микроструктур
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Метастабильные состояния в сплавах Co−C, полученных методом ионно-плазменного напыления
von: Рябцев, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ
von: Петруша, Ігор, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Влияние ионно-плазменного воздействия на элементный состав и структурно-фазовое состояние системы Cu-Ti
von: Погребняк, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности фазообразования и физические свойства пленок Al−Nb и Al−Ta, полученных методом ионно-плазменного напыления
von: Белецкая, О.Е., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)