Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
The results of research and optimization of 4НSiC p–i–n-diodes mesastructures manufacturing method are presented, as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p–i–n-diodes in the 25—500°C temperature range.
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мартынов , В.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ФОРМИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА НА БАЗЕ ОРТОГОНАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАНИЙ
von: Терещенко, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Терещенко, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние комплексных воздействий на формирование структуры и тиксотропных свойств литых высокопрочных алюминиевых сплавов В95 и Д16
von: Пригунова, А. Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Пригунова, А. Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Влияние внутренних параметров стабилизированных СВЧ-генераторов на формирование автодинного отклика при сильном отраженном сигнале
von: Noskov, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Noskov, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Hladkovskiy, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Hladkovskiy, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Borisenko, A. G.
Veröffentlicht: (2013)
von: Borisenko, A. G.
Veröffentlicht: (2013)
Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
von: Maximenko, L. S., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Maximenko, L. S., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем
von: Hladkovskyi, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Hladkovskyi, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Моделювання конкурентної рівноваги на енергоринку з урахуванням втрат електроенергії в електричних мережах
von: Saukh S.Ye., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Saukh S.Ye., et al.
Veröffentlicht: (2016)
МЕТОД ДОМЕННИХ МОДЕЛЕЙ СТВОРЕННЯ І ВИКОРИСТАННЯ КАДРІВ У РОЗВИТКУ СИСТЕМ МОНІТОРИНГУ
von: Sopel, Myhail Fedorovich, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sopel, Myhail Fedorovich, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Кристалогеометричні особливості будови литої та нормалізованої сталі з ферито-перлітною структурою
von: Borisenko, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Borisenko, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Вплив розчинів хлористоводневої кислоти на розмір кристалітів гідроксіапатиту в порошках та їхню композитах з гіалуроновою кислотою
von: Golovan, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Golovan, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Ähnliche Einträge
-
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013) -
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)