Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію

It was shown the possibility of increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline SiC films by using a scheme of a two-component sensing element, one of which is an n-nc-SiC film with electronic conductivity, and the second is an p-nc-SiC film with hole conductivity. It is shown th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2021
Hauptverfasser:	Semenov, Alexander, Lubov, Denis
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
Schlagworte:	нанокристалічні плівки SiC газовий сенсор чутливість до газу електронна провідність діркова провідність
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.11
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-65
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-652025-05-30T19:23:34Z A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію Semenov, Alexander Lubov, Denis nanocrystalline SiC films gas sensor gas sensitivity electronic conductivity hole conductivity нанокристалічні плівки SiC газовий сенсор чутливість до газу електронна провідність діркова провідність It was shown the possibility of increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline SiC films by using a scheme of a two-component sensing element, one of which is an n-nc-SiC film with electronic conductivity, and the second is an p-nc-SiC film with hole conductivity. It is shown that due to the opposite polarity of changes in resistance in the films under the simultaneous action of gases, the difference in relative resistance changes Δ in the n-nc-SiC and p-nc-SiC films will always be greater than in each film separately. The expediency of using a two-component sensing element of a gas sensor based on nc-SiC films with electron and hole conduction is shown. Останнім часом гостро стоїть проблема пошуку нових функціональних напівпровідникових матеріалів для створення високочутливих газових сенсорів, які слабо змінюють свої властивості в умовах жорстких зовнішніх впливів. Завдання поліпшення характеристик газочутливих матеріалів постійно знаходяться в центрі уваги розробників приладів. Наноструктуровані SiC матеріали, при більш низькій вартості, проявляють високу стабільність властивостей і підвищену газову чутливість в порівнянні з об'ємними SiC матеріалами, завдяки значно більшій площі поверхні взаємодії з аналізованих газом.У роботі досліджено можливість збільшення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного SiC, шляхом використання схеми двох компонентного чутливого елемента, один з яких є плівка n-nc-SiC з електронною провідністю, а другий плівка p-nc-SiC з дірковою провідністю. Завдяки протилежній полярності зміни опору під час дії газу різниця між величинами зміни відносних опорів плівок n-nc-SiC та p-nc-SiC завжди буде більше, ніж у кожній плівці окремо. Встановлено доцільність використання двокомпонентного чутливого елемента газового сенсора на основі плівок nc-SiC з електронною та дірковою провідностями. Двокомпонентний газовий сенсор з підвищеною чутливістю на основі nc-SiC плівок може бути основою лінійки нових приладів для аналізу агресивних газів в екстремальних умовах. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.11 10.15222/TKEA2021.5-6.11 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2021): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 11-15 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2021): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 11-15 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2021.5-6 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.11/58 Copyright (c) 2021 Семенов О. В., Любов Д. В. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:23:34Z
collection	OJS
language	English
topic	нанокристалічні плівки SiC газовий сенсор чутливість до газу електронна провідність діркова провідність
spellingShingle	нанокристалічні плівки SiC газовий сенсор чутливість до газу електронна провідність діркова провідність Semenov, Alexander Lubov, Denis Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
topic_facet	nanocrystalline SiC films gas sensor gas sensitivity electronic conductivity hole conductivity нанокристалічні плівки SiC газовий сенсор чутливість до газу електронна провідність діркова провідність
format	Article
author	Semenov, Alexander Lubov, Denis
author_facet	Semenov, Alexander Lubov, Denis
author_sort	Semenov, Alexander
title	Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_short	Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_full	Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_fullStr	Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_full_unstemmed	Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_sort	новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
title_alt	A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films
description	It was shown the possibility of increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline SiC films by using a scheme of a two-component sensing element, one of which is an n-nc-SiC film with electronic conductivity, and the second is an p-nc-SiC film with hole conductivity. It is shown that due to the opposite polarity of changes in resistance in the films under the simultaneous action of gases, the difference in relative resistance changes Δ in the n-nc-SiC and p-nc-SiC films will always be greater than in each film separately. The expediency of using a two-component sensing element of a gas sensor based on nc-SiC films with electron and hole conduction is shown.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2021
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.11
work_keys_str_mv	AT semenovalexander anewapproachtoincreasingthesensitivityofagassensorbasedonnanocrystallinesiliconcarbidefilms AT lubovdenis anewapproachtoincreasingthesensitivityofagassensorbasedonnanocrystallinesiliconcarbidefilms AT semenovalexander novijpídhíddopídviŝennâčutlivostígazovogosensoranaosnovíplívoknanokristalíčnogokarbídukremníû AT lubovdenis novijpídhíddopídviŝennâčutlivostígazovogosensoranaosnovíplívoknanokristalíčnogokarbídukremníû AT semenovalexander newapproachtoincreasingthesensitivityofagassensorbasedonnanocrystallinesiliconcarbidefilms AT lubovdenis newapproachtoincreasingthesensitivityofagassensorbasedonnanocrystallinesiliconcarbidefilms
first_indexed	2025-09-24T17:30:20Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:20Z
_version_	1850410205282566144

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію

Institution

Ähnliche Einträge