Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
It was shown the possibility of increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline SiC films by using a scheme of a two-component sensing element, one of which is an n-nc-SiC film with electronic conductivity, and the second is an p-nc-SiC film with hole conductivity. It is shown th...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Semenov, Alexander, Lubov, Denis |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.11 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Синтез і властивості нових нанокомпозитів для акумулювання енергії: біодеструктивні матеріали–наночастинки окису магнію
von: Hashim, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Hashim, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Квантовохімічний дизайн нових полімерних матеріалів на основі тетраоксо[8]циркулену
von: Baryshnikov, G. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Baryshnikov, G. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
НАУКОВО-ТЕХНІЧНІ ОСНОВИ ПІДВИЩЕННЯ ТОЧНОСТІ ПРЕЦИЗІЙНИХ КОНДУКТОМЕТРИЧНИХ ВИМІРЮВАНЬ
von: Міхаль, О.О.
Veröffentlicht: (2019)
von: Міхаль, О.О.
Veröffentlicht: (2019)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
АНАЛІЗ ІМПЕДАНСНОЇ МОДЕЛІ ДВОЕЛЕКТРОДНОЇ КОНТАКТНОЇ КОНДУКТОМЕТРИЧНОЇ КОМІРКИ
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Електрофізичні властивості системи поліхлортрифторетилен–оксид міді
von: Makhno, S. N.
Veröffentlicht: (2014)
von: Makhno, S. N.
Veröffentlicht: (2014)
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
von: Strikha, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Strikha, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Новий протонпровідний електроліт для високотемпературних паливних елементів на основі гідрофобної солі гуанідину
von: Rogalsky, S.P., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Rogalsky, S.P., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
von: Shwarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Shwarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Розробка математичної моделі фоточутливого сенсора Холла на основі CdS
von: Sergiichuk, Viktor, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Sergiichuk, Viktor, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Міжклітинна адгезія та електричні параметри мембран ембріонів миші після кріоконсервування методом вітрифікації
von: Smolyaninova, Yevgeniya, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Smolyaninova, Yevgeniya, et al.
Veröffentlicht: (2023)
АЛГОРИТМ КЕРУВАННЯ СИМЕТРУВАЛЬНИМИ ПРИСТРОЯМИ ЗА БАГАТОКРАТНОЇ НЕСИМЕТРІЇ В РОЗПОДІЛЬНИХ МЕРЕЖАХ
von: Бурбело, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Бурбело, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2023)
ОБЧИСЛЕННЯ ПОПРАВОК ДИФЕРЕНЦІЙНИХ ДВОХЕЛЕКТРОДНИХ КОНДУКТОМЕТРИЧНИХ КОМІРОК ІЗ РОЗРАХУНКОВОЮ КОНСТАНТОЮ
von: Міхаль, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Міхаль, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Аналіз карбіду кремнію та кремнезем-вуглецевої шихти методом ТГА-ДСК-МС
von: Tishchenko, I. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Tishchenko, I. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ОПТОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР МОНООКСИДУ ВУГЛЕЦЮ НА ОСНОВІ ХОЛЕСТЕРИЧНОГО РІДКОГО КРИСТАЛА ЛЕГОВАНОГО МАГНЕТИТОМ FE2O3
von: Готра, З. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Готра, З. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Чутливий елемент оптичного сенсора діоксиду сірки
von: Пристай, Т. В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Пристай, Т. В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ПОХИБКА ВИМІРЮВАННЯ ЕЛЕКТРОЛІТИЧНОЇ ПРОВІДНОСТІ КОМІРКОЮ (JONES TYPE), ОБУМОВЛЕНА РАДІАЛЬНИМ ЗСУВОМ МІЖ ЇЇ ЧАСТИНАМИ ПІСЛЯ ЗБІРКИ
von: Мелещук, Д.В.
Veröffentlicht: (2020)
von: Мелещук, Д.В.
Veröffentlicht: (2020)
ВПЛИВ КОНЦЕНТРАЦІЇ І ПРИРОДИ СОЛІ ЛІТІЮ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕЛЕВИХ ЕЛЕКТРОЛІТІВ ДМСО-ПВДФ-LiAn
von: Globa, Nataliy, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Globa, Nataliy, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Низькотемпературне формування силікату неодиму зі структурою апатиту в кремнеземній матриці
von: Oranska, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Oranska, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
von: Shwarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Shwarts, Yu. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Розробка нового сенсора перевірки вологи на основі суміші карбоксиметил целюлоза–крохмаль з наночастинками окису міді
von: Hadi, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Hadi, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Приладово-технологічне моделювання магніточутливого сенсора з інтегрованим магнітним концентратором
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)
ОБГРУНТУВАННЯ РАЦІОНАЛЬНИХ РОЗМІРІВ МАГНІТОПРОВОДУ КІЛЬЦЕВОГО РОТОРА ВІТРОЕЛЕКТРИЧНОГО ВЕНТИЛЬНОГО РЕАКТИВНОГО ГЕНЕРАТОРА
von: Козирський, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Козирський, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Протонопровідні полімерні та органо-неорганічні мембрани
von: Rymsha, Kh. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Rymsha, Kh. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Аналіз практичної стійкості та чутливості лінійних динамічних систем зі зміною вимірності фазового простору
von: Garashenko, Fedir G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Garashenko, Fedir G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Розрахунок зонного моделю нанокристалічного кремнію
von: Коваль, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваль, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
КОНТРОЛЬ СТУПЕНЯ РОЗПУШЕННЯ КРАЙНІХ ПАКЕТІВ ЗУБЦЕВОЇ ЗОНИ ОСЕРДЯ СТАТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА З ЗАСТОСУВАННЯМ ЄМНІСНОГО СЕНСОРА
von: Левицький, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Левицький, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
РОЗРАХУНОК ФУНКЦІЇ ПЕРЕТВОРЕННЯ ЄМНІСНОГО СЕНСОРА РАДІАЛЬНОГО БИТТЯ ВАЛІВ ЗАСОБАМИ КОМП’ЮТЕРНОГО МОДЕЛЮВАННЯ
von: Березниченко , В.О.
Veröffentlicht: (2021)
von: Березниченко , В.О.
Veröffentlicht: (2021)
Чутливий елемент двофункціонального сенсора магнітного поля та деформації на основі мікрокристалів Si
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Досвід електронної публікації історичних джерел в США та Західній Європі: короткий огляд (1971–2010)
von: Папакін, Г.
Veröffentlicht: (2015)
von: Папакін, Г.
Veröffentlicht: (2015)
Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
von: Kukurudziak , Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Kukurudziak , Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2020)
АНАЛІЗ ВПЛИВУ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ФАКТОРІВ НА ФУНКЦІЮ ПЕРЕТВОРЕННЯ КОМПЛАНАРНОГО ЄМНІСНОГО СЕНСОРА БИТТЯ ВАЛІВ
von: Березниченко , В.О., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Березниченко , В.О., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Ähnliche Einträge
-
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Синтез і властивості нових нанокомпозитів для акумулювання енергії: біодеструктивні матеріали–наночастинки окису магнію
von: Hashim, A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Квантовохімічний дизайн нових полімерних матеріалів на основі тетраоксо[8]циркулену
von: Baryshnikov, G. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)