Мо­дель ли­нии пе­ре­да­чи для на­но­элек­тро­ни­ки

• Дата: 2009
• Автор: Nelin, E. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2009
• Теми: наноэлектроника; резонансное туннелирование электронов; кристаллоподобные структуры
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.30
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Analytical expressions for resonant parameters and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.