Модель линии передачи для наноэлектроники
Analytical expressions for resonant parameters and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | Nelin, E. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.30 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Правове регулювання зовнішніх зносин ЄС – США в сфері безпеки та оборони
за авторством: Гріненко, О.О.
Опубліковано: (2011) -
Метод расчета сопротивления электродов тонкопленочного резистора
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2009) -
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012) -
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009) -
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)