Модель линии передачи для наноэлектроники
Analytical expressions for resonant parameters and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Author: | Nelin, E. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.30 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Правове регулювання зовнішніх зносин ЄС – США в сфері безпеки та оборони
by: Гріненко, О.О.
Published: (2011) -
Метод расчета сопротивления электродов тонкопленочного резистора
by: Spirin, V. G.
Published: (2009) -
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
by: Borschak, V. A.
Published: (2012) -
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
by: Ivanova, P. E., et al.
Published: (2009) -
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
by: Djanghidze, L. B., et al.
Published: (2009)